Qualcomm julkisti uuden huippupiirinsä Snapdragon 8+ Gen 1:n: tuleviin Android-lippulaivapuhelimiin lisätehoa ja pienempi virrankulutus

Qualcomm on julkistanut uuden huippuluokan järjestelmäpiirinsä Snapdragon 8+ Gen 1:n.

Ensimmäiset Snapdragon 8+ Gen 1:llä varustetut älypuhelimet ovat tulossa markkinoille vuoden 2022 kolmannen neljänneksen eli heinä-syyskuun aikana. Uuden huippupiirin käyttöön jo vahvistetusti ottavien kumppanien lista on pitkä: Asus ROG, Black Shark, Honor, iQOO, Lenovo, Motorola, Nubia, OnePlus, Oppo, OSOM, Realme, RedMagic, Redmi, Vivo, Xiaomi ja ZTE.

Tällä kertaa Qualcommin päivitetty versio sen huippupiiristä on poikkeuksellisen merkittävä, sillä Snapdragon 8 Gen 1:n vaivana on ollut suuri lämmöntuotto. Tätä ongelmaa Snapdragon 8+ Gen 1:n pitäisi ratkaista, ja osin se on tapahtunut piirin valmistajaa vaihtamalla.

Snapdragon 8+ Gen 1:n valmistuksesta vastaa TSMC, kun Snapdragon 8 Gen 1:n valmistaja on Samsung. Kummatkin piirit valmistetaan 4 nanometrin tuotantoprosessilla, mutta yleisen käsityksen mukaan TSMC:n prosessi on selvästi Samsungia parempi – ja se myös näkyy Snapdragon 8+ Gen 1:n ominaisuuksissa.

Qualcommin mukaan Snapdragon 8+ Gen 1:n peruslaskennan CPU-suorituskyky on 10 prosenttia parempi kuin Snapdragon 8 Gen 1:ssä perustuen GeekBench-suorituskykytestin moniydintulokseen, minkä lisäksi myös Adreno 730 -grafiikkasuorittimen kellotaajuus on 10 prosenttia korkeampi.

Tärkein parannus on kuitenkin tapahtunut energiatehokkuudessa: Qualcommin mukaan Snapdragon 8+ Gen 1 on 30 prosenttia energiatehokkaampi kuin Snapdragon 8 Gen 1. Tämä voi näkyä sekä pienentyneenä virrankulutuksena että vähäisempänä lämpenemisenä uusissa Snapdragon 8+ Gen 1:llä varustetuissa Android-huippupuhelimissa. Kokonaisuutena Qualcommin mukaan Snapdragon 8+ Gen 1 kuluttaa 15 prosenttia vähemmän virtaa kuin edeltäjänsä.

Snapdragon 8+ Gen 1 sisältää yhä kahdeksan keskussuoritinydintä: yhden ARM Cortex-X2 -huipputehoytimen nyt 3,2 gigahertsin kellotaajuudella verrattuna 3 gigahertsiin Snapdragon 8 Gen 1:ssä, kolme ARM Cortex-A710-tehoydintä sekä neljä vähävirtaisempaa ARM Cortex-A510 -ydintä.

Snapdragon 8+ Gen 1 tarjoaa suuren parannuksen energiatehokkuudessa.
Snapdragon 8+ Gen 1 tarjoaa suuren parannuksen energiatehokkuudessa.

Qualcommin mukaan lisäksi myös Snapdragon 8+ Gen 1:n sisältämä 7. sukupolven AI Engine -tekoälylaskentaosio tarjoaa 20 prosenttia paremman suorituskyvyn wattia kohden kuin aiemmin.

Akunkeston osalta Snapdragon 8+ Gen 1:n parannukset tarjoavat Qualcommin mukaan esimerkiksi 60 minuuttia enemmän peliaikaa, 80 minuuttia enemmän suoratoistovideoiden katseluaikaa, 5,5 tuntia enemmän puheaikaa, 50 minuuttia enemmän sosiaalisen median selausaikaa tai 17 tuntia enemmän musiikin kuunteluaikaa edeltäjäänsä verrattuna.

Muuten Snapdragon 8+ Gen 1 sisältää edelleen Qualcommin kehittyneimmät teknologiat ja tuen mitä tulee esimerkiksi yhteys-, ääni- ja kameraominaisuuksiin. Osana järjestelmäpiiriä on Snapdragon X65 5G -modeemi ja FastConnect 6900 huolehtii Wi-Fi 6 ja 6E sekä Bluetooth -yhteyksistä.

Snapdragon 8+ Gen 1:n ominaisuuksia.
Snapdragon 8+ Gen 1:n ominaisuuksia.