Applen odotetaan uudistavan sen iPad-mallistoa alkuvuodesta mahdollisesti useammallakin uutuuslaitteella. Uutuuksien aikataulu on kuitenkin nyt vaarassa.
DigiTimes kertoo nimettömiin lähteisiinsä perustuen myös tulevien iPadien järjestelmäpiirien valmistuksesta vastaavan TSMC:n uuden 10 nanometrin tuotantoprosessin kanssa olevan vielä ongelmia, joiden takia tuotannon saannot eivät ole vielä tyydyttävällä tasolla – sutta ja sekundaa siis syntyy vielä liikaa. Näin iPadien lanseeraus voisi viivästyä kaavaillusta maaliskuusta. Uusiin iPadeihin odotetaan uutta Apple A10X -järjestelmäpiiriversiota, tehokkaampaa versiota iPhone 7 -puhelinten A10:stä.
Huhut tulevista iPadeista ovat vielä hieman levällään. Kaikki omilla tahoillaan odottavat seuraajaa nykyiselle 9,7 tuuman iPad Prolle, mutta näytön koosta ei ole päästy vielä yhteen käsitykseen. Yleensä joukon luotettavin KGI Securitiesin analyytikko Ming-chi Kuo povaa tulevaan iPadiin 10,5 tuuman näyttöä. Muilta tahoilta on kuitenkin kuultu puheita myös 10,1 ja 10,9 tuuman näytöstä.
Uusi iPad-malli esiteltäisiin todennäköisesti myös teknisesti uudistuvan 12,9 tuuman iPad Pron rinnalla. Lisäksi mallistoon jäisi vielä myös 9,7 tuuman iPad Pro, joka painuisi edullisempaan hintaluokkaan. Myös 9,7 tuuman iPad voisi saada tekniikkapäivityksen, sillä Applelta on odotettu kaikkiaan kolme uutta iPadia. iPad mini ei uudistuisi, vaan pysyisi myynnissä ennallaan.
Uudessa yli 10 tuuman iPadissa voisi olla nykyistä pienemmät näytönreunukset. Esillä on ollut jopa mahdollisuus, että näyttö kattaisi siinä jo koko etupuolen kotipainikkeen ja sormenjälkitunnistuksen ollessa integroitu osaksi näyttöä tavalla tai toisella, kuten odotetaan tapahtuvan myös yhdessä ensi vuoden iPhone-uutuuksista.
Uusi 10 nanometrin tuotantoprosessi, joka saattaa hidastaa iPad-lanseerausta, ei ole ollut ongelmallinen vain TSMC:lle. Myös Samsung on kohdannut ongelmia, ja siltä jo Snapdragon 835:n valmistuksen tilanneen Qualcommin kerrotaankin päättäneen hyödyntää muissa piireissään, kuten tulevassa edullisemmassa Snapdragon 660 -piirissä, edelleen aiempaa 14 nanometrin tuotantoprosessia.
Pienemmän viivan leveyden tuotantoprosessi parantaa yleisesti piirin virrankulutusta ja vähentää lämmöntuotantoa mahdollistaen osaltaan korkeampien kellotaajuuksien kautta paremman suorituskyvyn.
