Applen julkistettua uudet iPhonensa, seuraava superuutuus älypuhelimissa alkaakin olla jo tulevan vuoden alkukuukausina odotettu Samsung Galaxy S8. Näin ollen huhumylly sen ympärillä on jo alkanut pyöriä vauhdikkaammin.

Nyt tarjolla on huhuja Galaxy S8:aan odotettavan Exynos 8895 -järjestelmäpiirin ominaisuuksista. Aiemminkin kiinalaisessa Weibo-palvelussa paljastuksia tehnyt käyttäjä kertoo, että Samsungin uuden piirin pitäisi yltää jopa 3 gigahertsin kellotaajuuteen.

Lisäksi sen kehitysversion kerrotaan nakuttaneen GeekBench-suorituskykytestissä yhden ytimen osalta 2 301 pisteen ja moniydintestissä 7 019 suorituksen. Näistä yhden ytimen suorituskyky on selvästi perässä Applen iPhone 7 -puhelinten sisältä löytyvää uutta A10 Fusion -piiriä, mutta useamman suoritinytimen myötä moniydintestissä Samsung vie pidemmän korren. Lisäksi kannattaa huomioida, että tuloksista ei ole vielä varmuutta ja ne voivat parantuakin tästä, kunhan piiri on valmis ja loppuun asti optimoitu.

4+4 suoritinytimellä edelleen todennäköisesti varustettu Exynos 8895 tullaan valmistamaan Samsungin uudella 10 nanometrin tuotantoprosessilla, mikä tuo etuja piirin virrankulutukseen, jonka kerrotaankin olevan jopa vain 5 wattia.

Piirin sisältämän kuvankäsittelysuorittimen suorituskyvyn kerrotaan myös paranevan 70-80 prosentilla aiemmasta Exynos-huippupiiristä, mikä varmasti avittaa Galaxy S8:aan odotettavan kaksoiskameran vikkelää toimintaa.

Lisäksi aiempien huhujen mukaan Galaxy S8 olisi tulossa kahdessa koossa 5,1 ja 5,5 tuuman sivuille kaartuvilla näytöillä, jotka voisivat tarjota 4K-tarkkuuden.